晶體管加熱電源。

晶體管超音頻感應淬火設(shè)備的加熱電源是指頻率為lo~lookHz的電源，由新的晶體管組成。IGBT晶體管(絕緣柵雙極晶體管)是一種有代表性的晶體管。IGBT晶體管具有MOS器件和雙極器件的優(yōu)點:通態(tài)電壓低、輸入阻抗高、開關(guān)速度快、通流能力強。由該裝置組成的逆變電路電源稱為IGBT超音頻感應加熱電源。IGBT并聯(lián)逆變超音頻感應淬火設(shè)備加熱電源。

(1)電源電路的基本結(jié)構(gòu)IGBT并聯(lián)逆變超音頻感應淬火設(shè)備的電源電路結(jié)構(gòu)。類似于晶閘管并聯(lián)逆變中頻電源電路的結(jié)構(gòu)。主要區(qū)別是逆變電路開關(guān)器件V1~V4采用IGBT器件而不是晶閘管，但功能相似。每個IGBT器件串聯(lián)一個二極管VD1~VD4。由于IGBT器件無法承受反壓，因此必須串聯(lián)二極管進行反向阻斷。

(2)電路的工作原理類似于晶閘管并聯(lián)逆變中頻電源，主要區(qū)別是IGBT器件的開關(guān)功能不同于晶閘管。IGBT的結(jié)構(gòu)和開關(guān)原理介紹如下。IGBT的基本結(jié)構(gòu)，電氣圖彤符號和等效電路。IGBT可視為由輸入部分MOSFET管和輸出部分PNP三極管組成的半導體器件，或由MOSFET驅(qū)動的PNP晶體管。當IGBT器件的柵極施加正向電壓時，柵極下方的P型反型成為N型導電溝，MOSFET導通，電子電流進入N層，為PNP晶體管提供正向基極電流，IGBT導通。相反，向柵極施加反向電壓，導電溝消失，PNP晶體管失去基極驅(qū)動電流，IGBT關(guān)閉。柵極為正，反向電壓由專驅(qū)動電路提供。以上是IGBT的簡要工作原理。詳情請參考相關(guān)專業(yè)文獻。